크롬이 도핑 된 파라 텅스텐 산 암모늄

크롬 도핑 된 파라 텅스텐 산염은 암모늄 파라 텅스텐 분말을 제조하기위한 결정화 공정에 의해 아세테이트 크롬을 첨가함으로써 얻어진다. pH가 = 8.5, 크롬 침강 속도가 침전이 평형 상태 근처에서 크롬을 용해시킨 후, 최고 도달하면 크롬 주로 CR은, pH가 9가 석출되기 시작 전에 돈 파라 텅스텐 산 침전 형태를 침전. 암모늄 이차 비 포화 크롬 및 텅스텐의 침전, 크롬 도핑 파라 텅 스테이트 제어량이 수용액 중 용액의 용해도보다 상이한 크롬 함량으로 제조 할 수 있고, 크롬 농도 용액 W0의 석출 속도가 높을수록 낮은. 초기 NH, OH 농도를 증가시키고 교반 속도를 감소 시키면 크롬의 침전 속도를 상당히 증가시킬 수 있습니다.

현재 크롬은 텅스텐 카바이드 탄화 이전의 고체 - 고체 크롬 공정에서 주로 사용됩니다. 텅스텐 분말과 카본 블랙에 억제제 인 파라 텅스텐 산 암모늄의 형태로 첨가하고 균일하게 혼합 한 다음 탄화시켜 억제제를 함유 한 파라 텅스텐 산 암모늄 분말을 얻습니다. 상기 방법의 단점하여 초경합금의 성능에 영향을 미치는, 파라 텅 스테이트 결정 성장 동안 소결 초경합금의 의도하지 않은 부분에서 얻어진 균일하게 혼합 억제하는 것이 곤란하다.

1. APT 파우더의 크롬 함량에 미치는 크롬 함량의 영향
크롬 도핑 합금, 202.8의 W03 농도의 크롬 함량의 범위에있어서, 단결정 APT 제법 모 선택 NHQOH 2.76 몰 / L의 암모늄 파라 텅 스테이트 수용액의 농도 0.3 %의 CR / W03 질량비에 의해, 0.5 % 0.7 %, 0.9 %, 1.1 %를 크롬 아세테이트에 혼입시키고, 교반 속도 300rad / min 및 온도 100 ℃에서 증발 결정을 수행 하였다.

는 APT 증가로 분말의 양은 크롬의 양은 크롬의 증가와 감소는 선형 데이터를 관계 적합 : Y는 CR이며, X는 CR / W03 / %이고, Y = 0.02 + 0.844x를 / APT / % .

2. APT 결정화 공정에서 크롬 농도에 미치는 WO 농도의 영향
NHQOH 2.76 몰 / L, L 170의 W03 농도, L 195, L 237, 258 L에, 295 L에 파라 텅스텐 산 암모늄의 공급 용액, 크롬 아세테이트 CR / W03 = 0.5 % 첨가의 질량비의 농도 교반 속도 300rad / min, 온도 1000 ℃, 결정화 종점 pH = 7.0의 조건에서 결정을 증발시켰다.

크롬 도핑 된 파라 텅스텐 산염의 특성
크롬 도핑 된 파라 텅스텐은 다음과 같은 특징을 가지고 있음을 알 수있다.

(1) 암모늄 파라 텅 스테이트의 결정화 공정은 크롬 함유 APT 분말을 제조하기 위해 아세테이트 크롬을 혼입함으로써 수행된다. 크롬은 주로 CR COH 3 APT 침전물 형태 증착 전에 침전> (9)의 시작에서의 pH, pH는 8.5, 크롬의 최대 증착율. 평형 상태 근처 크롬의 침전물을 용해시킨 후, 모액은 APT 크롬 분말의 비율이 감소 크롬 농도의 증가하지만 훨씬 크롬 절대량 변경없이.

(2) APT에서 크롬의 침전은 포화되지 않는다. 첨가 된 크롬의 양이 증가함에 따라, APT에서 크롬의 양은 선형 적으로 증가한다. 결정화 공정에서 크롬의 양을 제어함으로써 상이한 크롬 함량을 갖는 APT 분말을 제조 할 수있다.

(3) CR (OH) 3 W04 용해도 2WO4 존재 CR (OH) 3, 크롬 W03의 고농도 용액의 용해를 촉진 (NH4) 때문에, 수용액의 용액 (NHS의 a)에서보다 크다 강수량은 낮아집니다.
(4) 초기 NHQOH 농도를 증가시키고 교반 속도를 감소 시키면 크롬의 석출 속도를 상당히 증가시킬 수 있으며, 결정화 온도는 크롬의 석출 속도에 거의 영향을 미치지 않는다.